Zariadenie IGBT: Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom: fyzika, konštrukcia a aplikácie

Hodnotenie:   (5,0 z 5)

Zariadenie IGBT: Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom: fyzika, konštrukcia a aplikácie (Jayant Baliga B.)

Recenzie čitateľov

Momentálne nie sú žiadne recenzie čitateľov. Hodnotenie je založené na 2 hlasoch.

Pôvodný názov:

The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor

Obsah knihy:

Zariadenie IGBT: Fyzika, dizajn a aplikácie bipolárneho tranzistora s izolovaným hradlom, druhé vydanie, poskytuje základné informácie, ktoré potrebujú aplikační inžinieri na navrhovanie nových produktov využívajúcich toto zariadenie v odvetviach vrátane spotrebného priemyslu, osvetlenia, dopravy, medicíny a obnoviteľných zdrojov energie.

Zariadenie IGBT sa ukázalo ako veľmi dôležitý výkonový polovodič, ktorý poskytuje základ pre pohony motorov s nastaviteľnými otáčkami (používané v klimatizácii a chladení a v železničných lokomotívach), elektronické zapaľovacie systémy pre motorové vozidlá s benzínovým pohonom a energeticky úsporné kompaktné žiarivky. V knihe sa uvádzajú najnovšie aplikácie v plazmových displejoch (ploché televízory) a v systémoch prenosu elektrickej energie, v systémoch alternatívnej energie a skladovania energie, ale používa sa aj vo všetkých systémoch výroby energie z obnoviteľných zdrojov vrátane solárnej a veternej energie.

Táto kniha je prvou dostupnou knihou o aplikáciách IGBT. Odhalí IGBT pre novú generáciu technických aplikácií, čím sa stane nevyhnutným čítaním pre široké publikum elektrotechnikov a konštruktérov, ako aj dôležitou publikáciou pre odborníkov na polovodiče.

Ďalšie údaje o knihe:

ISBN:9780323999120
Autor:
Vydavateľ:
Jazyk:anglicky
Väzba:Pevná väzba
Rok vydania:2022
Počet strán:800

Nákup:

Momentálne k dispozícii, na sklade.

Ďalšie knihy autora:

Základy výkonových polovodičových zariadení - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Fundamentals of Power Semiconductor Devices poskytuje...
Základy výkonových polovodičových zariadení - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Výkonové zariadenia z nitridu gália a karbidu kremíka - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power...
Za posledných 30 rokov sa dosiahol významný pokrok...
Výkonové zariadenia z nitridu gália a karbidu kremíka - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices
Zariadenie IGBT: Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom: fyzika, konštrukcia a aplikácie - The...
Zariadenie IGBT: Fyzika, dizajn a aplikácie...
Zariadenie IGBT: Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom: fyzika, konštrukcia a aplikácie - The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
Výkonové zariadenia z karbidu kremíka - Silicon Carbide Power Devices
Výkonové polovodičové zariadenia sa široko používajú na kontrolu a...
Výkonové zariadenia z karbidu kremíka - Silicon Carbide Power Devices
Výkonové polovodičové zariadenia so širokým pásmom: Materiály, fyzika, návrh a aplikácie - Wide...
Výkonové polovodičové zariadenia so širokým...
Výkonové polovodičové zariadenia so širokým pásmom: Materiály, fyzika, návrh a aplikácie - Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications
Moderné výkonové zariadenia z karbidu kremíka - Modern Silicon Carbide Power Devices
Napájacie zariadenia z karbidu kremíka sa čoraz...
Moderné výkonové zariadenia z karbidu kremíka - Modern Silicon Carbide Power Devices
Pokročilé koncepcie výkonových mosfetov - Advanced Power Mosfet Concepts
V poslednom desaťročí bolo navrhnutých mnoho nových koncepcií na zlepšenie výkonu...
Pokročilé koncepcie výkonových mosfetov - Advanced Power Mosfet Concepts

Diela autora vydali tieto vydavateľstvá:

© Book1 Group - všetky práva vyhradené.
Obsah tejto stránky nesmie byť kopírovaný ani použitý čiastočne alebo v celku bez písomného súhlasu vlastníka.
Posledná úprava: 2024.11.13 22:11 (GMT)