Účinky žiarenia v karbide kremíka

Pôvodný názov:

Radiation Effects in Silicon Carbide

Obsah knihy:

V knihe je prehľad podľa autora najzaujímavejších publikácií zaoberajúcich sa radiačnými defektmi vznikajúcimi v 6H-, 4H- a 3C-SiC pri ožarovaní elektrónmi, neutrónmi a niektorými druhmi iónov. Na začiatku sa rozoberajú elektrické parametre SiC, ktoré robia tento materiál perspektívnym na použitie v modernej elektronike. Uvažuje sa aj o špecifických vlastnostiach kryštálovej štruktúry SiC. Ukazuje sa, že pri štúdiu širokopásmových polovodičov je potrebné zohľadniť teplotnú závislosť rýchlosti odstraňovania nosičov (ηe), ktorá je štandardným parametrom na určenie radiačnej tvrdosti polovodičov. Hodnoty ηe získané ožarovaním rôznych polytypov SiC s n- a p-typom vodivosti sa analyzujú v závislosti od typu a energie ožarovacích častíc. Uvažuje sa o možných fyzikálnych mechanizmoch kompenzácie daného materiálu. Analyzuje sa vplyv energie nabitých častíc na spôsob vzniku radiačných defektov a kompenzácie vodivosti v ožarovaných polovodičoch.

Ďalej sa zvažuje možnosť výroby riadenej transformácie polytypu karbidu kremíka. Analyzuje sa zapojenie radiačných defektov do radiačných a neradiačných rekombinačných procesov v SiC.

Uvádzajú sa aj údaje týkajúce sa degradácie konkrétnych elektronických zariadení z SiC pod vplyvom žiarenia a vyvodzuje sa záver o radiačnej odolnosti SiC. Nakoniec sa porovnáva radiačná odolnosť zariadení na báze kremíka a karbidu kremíka.