Pokročilé polovodičové zariadenia s veľmi nízkou spotrebou energie: Dizajn a aplikácie

Pôvodný názov:

Advanced Ultra Low-Power Semiconductor Devices: Design and Applications

Obsah knihy:

POKROČILÉ ULTRA NÍZKOENERGETICKÉ POLOVODIČOVÉ ZARIADENIA

Tento nový dôležitý zväzok, ktorý napísal a editoval tím odborníkov v tejto oblasti, sa v širokom rozsahu zaoberá návrhom a aplikáciami polovodičových tranzistorov na báze oxidov kovov.

Tento vynikajúci nový zväzok ponúka komplexný prehľad najmodernejších polovodičových súčiastok prispôsobených pre aplikácie s veľmi nízkym výkonom. Tieto súčiastky, ktoré sú kľúčové pre základy elektronických zariadení, zohrávajú ústrednú úlohu pri formovaní prostredia elektroniky. So zameraním na nové elektronické zariadenia s nízkou spotrebou energie a ich použitie v oblastiach, ako je bezdrôtová komunikácia, biosenzorika a obvody, predstavuje táto kniha neoceniteľný zdroj informácií na pochopenie tejto dynamickej oblasti.

V knihe sa stretávajú odborníci a výskumníci z rôznych aspektov oblasti VLSI a zaoberajú sa výzvami, ktoré predstavujú moderné zariadenia s nízkou spotrebou energie. Cieľom tohto spoločného úsilia je podporiť inžinierske inovácie a zdokonaliť praktickú implementáciu týchto technológií. Konkrétne kapitoly sa venujú zložitým témam, ako sú tunelové FET, obvody zariadení FET so zápornou kapacitou a pokročilé FET prispôsobené pre rôzne obvodové aplikácie.

Okrem diskusií zameraných na zariadenia sa kniha venuje aj zložitému návrhu pamäťových systémov s nízkou spotrebou energie, fascinujúcej oblasti neuromorfných počítačov a kľúčovej otázke tepelnej spoľahlivosti. Autori poskytujú solídne základy fyziky zariadení a obvodov a zároveň skúmajú nové materiály a architektúry, ako sú tranzistory postavené na priekopníckych kanálových/dielektrických materiáloch. Toto skúmanie je poháňané potrebou dosiahnuť minimálnu spotrebu energie a zároveň ultrarýchle spínacie rýchlosti, čím sa splnia neúprosné požiadavky polovodičového priemyslu. Rozsah knihy zahŕňa pojmy ako MOSFET, FinFET, GAA MOSFET, 5 nm a 7 nm technologické uzly, NCFET, feroelektrické materiály, podprahový výkyv, high-k materiály, ako aj pokročilé a nové materiály kľúčové pre budúcnosť polovodičového priemyslu.