Optimalizácia chemicko-mechanického leštenia pre 4H-Sic

Pôvodný názov:

Chemical Mechanical Polishing Optimization for 4H-Sic

Obsah knihy:

Pre substráty používané pri epitaxnom raste sú potrebné povrchy bez škrabancov. Karbid kremíka (SiC) je substrátový materiál, ktorý sa používa pri epitaxnom raste elektronických zariadení SiC, GaN a InGaN.

Vykonali sa predbežné štúdie chemicko-mechanického leštenia (CMP) 1 3/8“ 4H-SiC doštičiek v snahe identifikovať hodnoty parametrov leštenia, ktoré vedú k maximálnej rýchlosti odstraňovania materiálu, a tým k skráteniu času leštenia substrátu. V predchádzajúcich štúdiách sa uvádzala zvýšená miera odstraňovania materiálu spojená so zvyšovaním teploty leštenia, pH suspenzie, tlaku a rýchlosti leštiaceho taniera. V tejto štúdii sa nezávisle od seba skúmali účinky teploty, pH suspenzie, leštiaceho tlaku a rýchlosti leštiaceho taniera, pričom ostatné parametre leštenia zostali konštantné.

Rýchlosť odstraňovania materiálu sa stanovila pomocou meraní hmotnosti doštičiek pred leštením a po ňom. Pred a po každom leštení sa získali fotografie konkrétnych miest plátkov a porovnali sa s vypočítanou mierou odstraňovania.