Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors (Inžinierstvo rozhrania v organických tranzistoroch s efektom poľa)

Pôvodný názov:

Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors

Obsah knihy:

Inžinierstvo rozhrania v organických tranzistoroch s poľom účinku

Systematické zhrnutie pokroku vo vývoji účinných metodík inžinierstva rozhrania v organických tranzistoroch s poľom účinku, od modelov po experimentálne techniky

Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors zahŕňa súčasný stav techniky v oblasti organických tranzistorov s poľom účinku a poskytuje prehľad o transporte náboja na rozhraniach, koncepciách konštrukcie zariadení a výrobných procesoch zariadení a poskytuje výhľad na vývoj budúcich optoelektronických zariadení.

Táto kniha sa začína prehľadom bežne používaných metód na získanie rôznych polovodičových/polovodičových rozhraní a mechanizmov prenosu náboja na týchto heterogénnych rozhraniach. Potom sa zaoberá modifikáciou na rozhraní polovodič/elektróda, pomocou ktorej sa dá vyladiť pracovná funkcia elektród, ako aj odhaliť mechanizmy injekcie náboja na rozhraniach.

Podrobne sa rozoberá fyzika prenosu náboja na rozhraní polovodič/dielektrikum. V knihe je opísaný pozoruhodný vplyv modifikácie SAM na morfológiu polovodičového filmu, a tým aj na elektrické vlastnosti. Zvlášť sú zhrnuté cenné analýzy inžinierstva zachytávania/odstraňovania náboja na rozhraní na realizáciu nových funkcií.

Nakoniec sa rozoberajú mechanizmy snímania, ktoré sa vyskytujú na rozhraní polovodič/prostredie OFET, a jedinečné metódy detekcie schopné prepojiť organickú elektroniku s biológiou.

Konkrétne ukážky tém, ktoré sú zahrnuté v publikácii Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors, zahŕňajú: nekovalentné modifikačné metódy, vrstva vnášajúca náboj na povrch elektródy, metódy pasivácie dielektrického povrchu a kovalentné modifikačné metódy Mechanizmus prenosu náboja v objemových polovodičoch, vplyv prísad na nukleáciu a morfológiu materiálov, prísady do rozpúšťadiel a nukleačné činidlá Nanokonfinementový efekt, zvýšenie výkonu prostredníctvom polovodičových heteroprepojení, planárna dvojvrstvová heteroštruktúra, ambipolárny komplex prenosu náboja a supramolekulárne usporiadanie heteroprepojení Dielektrický efekt v OFET, modifikácia dielektrika na vyladenie morfológie polovodiča, kontrola povrchovej energie, návrh mikroštruktúry, strihanie roztoku, odstránenie medzifázových pascí a dielektriká SAM/SiO2

Aktuálny zdroj informácií poskytujúci najnovší vývoj v tejto oblasti a zdôrazňujúci nové poznatky pre budovanie spoľahlivých organických elektronických zariadení, Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors je nevyhnutný pre výskumníkov, vedcov a ďalších odborníkov súvisiacich s rozhraním v oblasti organickej elektroniky, nanoelektroniky, povrchovej vedy, solárnych článkov a senzorov.