Epitaxia molekulárnym lúčom: Základné princípy a súčasný stav

Recenzie čitateľov

Momentálne nie sú žiadne recenzie čitateľov. Hodnotenie je založené na 2 hlasoch.

Pôvodný názov:

Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status

Obsah knihy:

Od konca 60. rokov 20.

storočia, keď Cho a Arthur prvýkrát úspešne použili prístroj s molekulárnym lúčom na kryštalizáciu a výskum epilayerov GaAs, sa rýchlo rozvíjali techniky epitaxiálneho rastu vo vysokom vákuu pomocou lúčov častíc. Tento vývoj sa urýchlil, keď boli v 70. rokoch 20.

storočia vynájdené rôzne polovodičové zariadenia so štruktúrou kvantových jamiek. Dôležitá implementácia týchto štruktúr v zariadeniach, ako sú lasery s kvantovou jamkou, tran sistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov alebo superlatívne lavínové fotodiódy, dala ďalší impulz výskumným prácam a zvýšeniu výrobných cieľov.

Súbežne s týmto vývojom rýchlo narástol aj počet pôvodných výskumných prác a recenzií venovaných problémom týkajúcim sa týchto rastových techník, ktoré sa navyše stali veľmi rozporuplnými. V súčasnosti sa v literatúre každoročne objaví niekoľko stoviek pôvodných prác na túto tému.

Na rozdiel od toho však chýbajú komplexné monografie, ktoré by zahŕňali celú škálu problémov súvisiacich s epitaxným rastom polovodičových vrstiev z atómových a molekulárnych lúčov. Táto kniha, ktorá predstavuje prehľad súčasného stavu techniky epitaxie z molekulárnych zväzkov (MBE), aplikovanej na rast polovodičových vrstiev a viacvrstvových štruktúr, môže čitateľovi poslúžiť ako vhodný všeobecný sprievodca témami súvisiacimi s touto kryštalizačnou technikou.".